Из какого материала изготовлена база транзистора марка которого начинается с цифры 2
Перейти к содержимому

Из какого материала изготовлена база транзистора марка которого начинается с цифры 2

  • автор:

Фотоприемники и общая их характеристика» Разработка преподавателя:

Цифровые многоканальные телекоммуникационные системы

Актуализация опорных знаний.
I вариант
II вариант
Вопрос
1. При повышении
температуры
проводимость ПП
материалов…
Варианты ответов
а) повышается
б) понижается
в) не изменяется
Вопрос
1. Для р – п перехода опасен
пробой…
Варианты ответов
а) тепловой
б) электрический
в) любого вида
2. Какой буквой в
маркировке обозначают
управляемый
тиристор?
а) Т
б) У
в) П
2. Из какого материала
изготовлена база транзистора
марка, которого начинается с
цифры 2?
а) из кремния
б) из германия
3. В каких схемах
Нецелесообразно
использовать
транзисторы?
а) в схемах генерации
высокочастотных колебаний
б) в схемах усиления сигналов
в) в схемах выпрямления
переменного тока
3. В каких областях техники
находят применение
транзисторы?
а) в технике связи
б) в вычислительной технике
в) в автоматике
г) во всех вышеперечисленных
4. Какова природа светового
излучения?
а) волновая
б) квантовая
в) двойственная
(квантово-волновая)
4.Какие электроны обеспечивают
ток фотоэлектронной эмиссии?
а) только электроны валентной
зоны
б) только электроны зоны
проводимости
в) электроны обеих зон
5. Является ли диод
линейным
элементом?
а) да
б) нет
в) это зависит от значения
приложенного напряжения
5. Какие приборы целесообразно
использовать для
преобразования параметров
тока в системах
энергоснабжения?
а) БТ
б) ПТ
в) Тиристоры

3.

4.

5.

Принцип работы фоторезистора
Фоторезистор – это прибор принцип действия которого основан
на изменении сопротивления полупроводникового
материала под воздействием электромагнитного
излучения.
Принцип
действия
фоторезистора:
в) световая характеристика


3

mA
ф
0
2
U


1
Рис.1. Конструкции ФЭД с
внутренним фотоэффектом
б) схема включения ФЭД
1- изоляционная пластина
2- светочувствительный слой
3- электрод
Достоинства фоторезистора:
1. Высокая чувствительность
2. Мало энергоёмки
3. Малые габариты
4. Разнообразие форм
5. Низкая себестоимость
6. Линейность ВАХ
0
г) вольтамперная
характеристика.
На пластину с
диэлектрическими свойствами
наносят светочувствительный
слой, к которому подключают
электроды, и при их
помощи датчик включается
в электрическую цепь.
Недостатки фоторезистора:
1. Нелинейность световой характеристики
2. Большая инерционность
3. Зависимость рабочих характеристик
от температуры
4. Утомляемость

6.

Принцип работы фотодиода
Фотодиод – это ППД, обратный ток которого зависит от
освещенности р – п перехода. Он образован двумя
примесными полупроводниками с различными
типами электропроводности.
Фотодиоды могут работать в двух режимах:
1. В режиме фотогенератора без внешнего источника питания
2. В режиме фотопреобразователя с внешним источником питания
В режиме фотогенератора используется фотогальванический
эффект, суть которого заключается в создании разности потенциалов
на зажимах неоднородного полупроводника при его освещении
(рис. 1) Данный вид фотодиодов широко используют в качестве
источников преобразующих солнечную энергию в электрический
сигнал.
В режиме фотопреобразователя фотодиод включают в цепь
последовательно с нагрузкой и источником напряжения в
запирающем направлении (рис. 2). Когда фотодиод не
освещен, в цепи проходит темновой ток. При освещении
фотодиода происходит генерация электронов и дырок,
которые формируют фототок.

7.

Принцип работы вентильных фотоприемников
При Rн1 ф

Rн=0
1
Rн1
Rн2
2

3
Rн3

4
а) конструкция
Рис.1. Вентильный фотоэлемент
ф
0
б) световая
характеристика
ФЭД имеет 4 рабочих слоя: 1 — образован тонкой пленкой золота,
2 – запирающий слой, 3- селеновый слой, 4- стальная подкладка.
Второй слой обеспечивает односторонний проход электронов в
плоскость 3, т.е. из освещенной зоны электроны движутся в
неосвещенную. Это ведет к разности потенциалов на выходе (Uвых),
которая используется для получения тока Iф в сопротивлении нагрузки Rн.
Световые характеристики не подчинены линейному. Фото ЭДС у этих
типов ФЭД не велика (не более 0,5 В), поэтому ее необходимо усиливать
для передачи сигнала на ОР (объект регулирования).

8.

ПРИНЦИП РАБОТЫ ФОТОТРАНЗИСТОРА
Фототранзистор – представляет собой трехслойный
ППП с двумя
р – п переходами, обладающий свойством усиления
фототока при
воздействии лучистой энергии.
Принцип работы: под действием света в области базы
образуются пары носителей зарядов – электроны и дырки.
Дырки под действием электрического поля источника
энергии движутся через коллекторный переход, образуя
фототок, проходящий через нагрузку.
Чувствительность фототранзистора значительно
выше, чем у фотодиода

9.

Основные характеристики
фотоэлементов.
1. Световая или энергетическая характеристика – это зависимость
фототока от величины излучения светового потока, подаваемого на
фотоэлемент датчика.
2. ВАХ (вольтамперная характеристика) – это зависимость фототока от
напряжения, приложенного к фотоэлементу датчика при постоянном
световом потоке.
3. Чувствительность фотоэлемента – это отношение фототока к световому
потоку подаваемому на фотоэлемент.
4. Темновое сопротивление – это сопротивление неосвещенных фотодатчиков.
5. Рабочее напряжение – это значение которое зависит от технических
характеристик ФЭД.

ТЭСТ ОЭиИТ

Только сегодня: скидка до 20% в подарок на первый заказ.
Какую работу нужно написать?

Другую работу

Помощник Анна

< question >Как обозначается варикап < question >Что такое р-n переход обедненный подвижными носителями заряда контакт двух полупроводников с разным типом проводимости область между полупроводниками различных типов, соприкасающиеся м/у собой скачок потенциала на границе различных полупроводников барьер Шоттки контакт металл-полупроводник < question >Какой диод используется для выпрямления переменного тока выпрямительный Шоттки варикап стабилитрон туннельный < question >Для чего применяются выпрямительные диоды для выпрямления переменного тока для генерирования затухающих колебаний для стабилизации напряжения для усиления слабых сигналов для преобразования частоты < question >Для чего применяются варикапы в качестве конденсаторов для выпрямления переменного тока для генерирования затухающих колебаний для стабилизации напряжения для усиления слабых сигналов < question >Какую логическую операцию выполняет схема ЭСЛ операции ИЛИ/НЕ и ИЛИ ИЛИ-НЕ И-НЕ операцию И исключающее ИЛИ < question >Что такое микроэлектронная функциональная схема это кристалл, выполняющий какие-либо функции электронного устройства, но не содержащий отдельных радиоэлементо это микросхема, в которой все элементы выполнены в виде пленок из различных материалов это микросхема, в которой пассивные элементы выполнены в виде пленок из различных материалов, а активные – выполненные в микроминиатюрном исполнении крепятся навесным монтажом это микросхема, в которой все элементы формируются внутри полупроводникового кристалла это микросхема, в которой активные элементы формируются внутри полупроводникового кристалла, а пассивные – в виде пленок располагаются сверху < question >Определите вид усилительного каскада: Усилительный каскад с дроссельно-емкостной связью; Усилительный каскад с трансформаторной связью; Усилительный каскад с резисторно-емкостной связью; Усилительный каскад с непосредственной связью; Усилительный каскад на основе составного транзистора. < question >Определите вид усилительного каскада: Усилительный каскад с трансформаторной связью; Усилительный каскад с дроссельно-емкостной связью; Усилительный каскад с резисторно-емкостной связью; Усилительный каскад с непосредственной связью; Усилительный каскад на основе составного транзистора. < question >Определите вид усилительного каскада: Усилительный каскад с резисторно-емкостной связью; Усилительный каскад с дроссельно-емкостной связью; Усилительный каскад с трансформаторной связью; Усилительный каскад с непосредственной связью; Усилительный каскад на основе составного транзистора. < question >Определите вид усилительного каскада : [+]Усилительный каскад с непосредственной связью; Усилительный каскад с дроссельно-емкостной связью; Усилительный каскад с трансформаторной связью; Усилительный каскад с резисторно-емкостной связью; Усилительный каскад на основе составного транзистора. < question >Определите вид усилительного каскада: Усилительный каскад на составном транзисторе. Усилительный каскад с дроссельно-емкостной связью; Усилительный каскад с трансформаторной связью; Усилительный каскад с резисторно-емкостной связь Каскодный усилитель; < question >Определите вид отрицательной связи по структурной схеме: Простой дифференциатор; Сумматор аналоговых сигналов; Дифференциальный усилитель; Интегратор; Сложный дифферециатор. < question >Определите вид отрицательной связи по структурной схеме: Сумматор аналоговых сигналов; Дифференциальный усилитель; Интегратор; Простой дифференциатор; Сложный дифференциатор. < question >Для чего предназначена схема токового зеркала? Токовым зеркалом называется выходной ток которого повторяет как по величине, так и по направлению его входной ток Токовым зеркалом называется выходной напряжения которого увеличивает входное сопротивления Токовым зеркалом называется выходной сигнал, которого увеличивает входное сопротивление каскада. Выполняемым функциям данное устройство,по существу является управляемым током источником тока, коэффициент передачи которого равен 0. Когда транзистор используется в диодном включениион работает на границе активного режима. < question >Интегратор — это… [+]устройство, входной сигнал которого пропорционален интегралу по времени прибор с двумя взаимодействующими выпрямляющими переходами устройство, выходной сигнал которого пропорционален интегралу по напряжению устройство, выходной сигнал которого пропорционален интегралу по времени среди ответов нет правильного < question >Что означает дифференциальный усилитель? По принципу построения это балансные усилители параллельного типа обладают высокой стабильностью комбинационное устройство, преобразующее n-разрядный двоичный код логического сигнала, появляющийся на том выходе десятичный номер, который соответствует двоичному коду комбинационное устройство, обеспечивающее выдачу информации в желаемом порядке, поступающую к нескольким входам на один выход комбинационное устройство, преобразующее десятичные числа в двоичной системе счисления Дифференциальный усилитель это разбалансированный эмиттерный повторитель < question >Что называется обратной связью усилителей? называется связь между цепями усилителя, посредством которой сигнал передается в направлении, обратном нормальному. называется связь между цепями усилителя и входными параметрами каскада и выходным коэфициентом усиления ЭСЛ ИИЛ называется связь между цепями усилителя петлей обратной связи усилителя < question >Обратная связь называется положительной если… …фаза входного сигнала усилителя и сигнала обратной связи совпадают …фаза входного сигнала усилителя и сигнала обратной связи различается на угол пи устройство, в котором с одного информационного вход поступает в желаемой последовательности по нескольким выходам комбинационное устройство, преобразующее десятичные числа в двоичной системе счисления среди ответов нет правильного < question >Какие диоды применяют для выпрямления переменного тока? плоскостные точечные плоскостные и точечные ВЧ нет правильного ответа < question >Какие диоды работают в режиме лавинного пробоя? стабилитроны варикапы туннельные диоды при пробое диоды выходят из строя все перечисленные < question >Какие диоды используют для генерации электрических колебаний? диоды Ганна генераторы электрических колебаний могут быть построены только на триодах импульсные диоды туннельные диоды нет правильного ответа < question >Триггер — это… устройство, способное формировать два устойчивых значения выходного сигнала и скачкообразно изменять эти значения под действием внешнего управляющего сигнала комбинационное устройство, преобразующее десятичные числа в двоичную систему счисления устройство, в котором с одного информационного вход поступает в желаемой последовательности по нескольким выходам устройство, преобразующее двоичный код в десятичное число среди ответов нет правильного < question >Чем класс усиления АВ отличается от класса С? в выходной цепи транзистора протекает больше половины периода изменения напряжения входного сигнала совместимость уровней входных сигналов нагрузочная способность формирующие свойства режим работы транзисторного каскада при котором ток в выходной цепи транзистора протекает меньше половины сигнала < question >Чему равно входное сопротивление эмиттерного повторителя? Rвх=H21е Rе Rвх=H21е U Rвх=Rвых 7 2 < question >Полевой транзистор — это… полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающих через проводящий канал полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими выпрямляющими электронными переходами и тремя выводами прибор, проводимость которого зависит от источника питания прибор с двумя взаимодействующими выпрямляющими переходами среди ответов нет правильного < question >Схема включения биполярного транзистора ОК характеризуется: усилением по току и мощности отсутствием усиления по току, большим усилением по напряжению и мощности усилением по току, отсутствием усиления по напряжению усилением по току, напряжению и мощности среди ответов нет правильного < question >Сумматор — это… комбинационное логическое устройство, предназначенное для выполнения операции арифметического сложения чисел устройство, способное формировать два устойчивых значения выходного сигнала и скачкообразно изменять эти значения под действием внешнего управляющего сигнала прибор, проводимость которого зависит от источника питания устройство, преобразующее входной код в десятичное число среди ответов нет правильного < question >Семейство каких характеристик можно получить, меняя Iэ? переходных характеристик входных характеристик выходных характеристик боковых характеристик никаких характеристик нельзя получить < question >Когда используются h-параметры? при расчете усилителя при определении коэффициента усиления транзистора при определении выходной мощности для определения коллекторного тока в расчетах нельзя использовать h-параметры < question >Дифференциатор — это… устройство, выходной сигнал которого прямо пропорционален производной от его входного сигнала устройство, способное формировать два устойчивых значения выходного сигнала и скачкообразно изменять эти значения под действием внешнего управляющего сигнала комбинационное устройство, преобразующее десятичные числа в двоичной системе счисления прибор с двумя взаимодействующими выпрямляющими переходами среди ответов нет правильного < question >Полевые транзисторы с изолированным затвором… -это полевой транзистор имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала -это полевой транзистор имеющий 3 перехода и три вывода электрически изолированных от проводящего канала маленьким переходом -это полевой транзистор имеющий эмиттер и базу на канале полевой транзистор без канала но управляющим электродом стока и истока < question >Что такое фоторезистор ? — это полупроводниковый резистор, действие которого основано на фото резистином эффекте избыточная концентрация носителей зарядов это полупроводниковый регулятор, действие которого основано на фото резистином эффекте избыточная концентрация носителей зарядов Т это полупроводниковый фототранзистор, действие которого основано на фото резистином эффекте избыточная концентрация носителей зарядов А это полупроводниковый тиристор, действие которого основано на фото резистином эффекте избыточная концентрация носителей зарядов И это полупроводниковый оптрон, действие которого основано на фото резистином эффекте избыточная концентрация носителей зарядов < question >В каких схемах целесообразно использовать транзисторы? в схемах усиления сигналов мощности в схемах генерации высокочастотных колебаний в схемах выпрямления переменных токов во всех перечисленных схемах нет правильного ответа < question >Генератор гармонических колебаний — это… устройство, создающее синусоидальное напряжение при отсутствии входного сигнала устройство, создающее синусоидальное напряжение при отсутствии выходного сигнала устройство, поддерживающее синусоидальное напряжение при отсутствии сигнала устройство, поддерживающее синусоидальное напряжение при присутствии входного сигнала среди ответов нет правильного < question >В каком из режиме не работает генератор импульсных сигналов? отстающий автоколебательный ждущий синхронизации нет правильного ответа < question >Дешифратор — это… устройство, преобразующее входной код в десятичное число комбинационное устройство, преобразующее десятичные числа в двоичной системе счисления устройство, в котором с одного информационного вход поступает в желаемой последовательности по нескольким выходам устройство, способное формировать два устойчивых значения выходного сигнала и скачкообразно изменять эти значения под действием внешнего управляющего сигнала среди ответов нет правильного < question >При включении транзистора по схеме с общей базой коэффициент усиления по току равен 0,9.Чему равен коэффициент усиления по току этого транзистора, если его включить по схеме с общим эмиттером? 19 0,95 0,05 20 1 < question >Транзистор включен по схеме ОК. Коэффициент усиления по току равен 0,95 при ОБ. Чему равен коэффициент усиления по току? 20 0,95 1 19 0 < question >При какой схеме включения транзистора коэффициент усиления по мощности меньше или равен единице? с ОК с ОБ с ОЭ во всех случаях он больше единице такое не может быть < question >Отрицательная обратная связь усилителя: уменьшает коэффициент усиления, нелинейное искажение, фазовое искажение усилителя, увеличивает входное сопротивление повышает коэффициент усиления, нелинейное искажение, увеличивает входное сопротивление уменьшает коэффициент усиления, нелинейное искажение, увеличивает входное сопротивление, фазовое искажение усилителя уменьшает коэффициент усиления, нелинейное искажение, выходное сопротивление, фазовое искажение усилителя среди ответов нет правильного < question >Операционный усилитель — это… унифицированный каскадный усилитель постоянного тока унифицированный каскадный усилитель переменного тока модифицированный каскадный усилитель постоянного тока модифицированный каскадный усилитель переменного тока упт сдвига уровня < question >Определите коэффициент усиления трехкаскадного усилителя в децибелах, если каждый каскад обеспечивает десятикратное увеличение? 30 60 100 50 40 < question >Какой параметр полезного сигнала искажается за счет нелинейности усилительных элементов. форма сигнала частота сигнала частота и форма сигнала никакой параметр не искажается нет правильного ответа < question >Какая схема включения транзистора эквивалентна схеме катодного повторителя? с ОК с ОЭ с ОБ с ОИ с ОЗ < question >У каких транзисторов: а) большая устойчивость к радиации, б) меньше влияние температуры на параметры, в) меньше собственные шумы? а), б), в) у полевых а), б) у полевых, в) у биполярных а) у полевых, б), в) у биполярных а), б), в) у биполярных нет правильного ответа < question >Из какого материала изготовлена база транзистора, марка которого начинается с цифры 1? из германия из кремния из галия из алюминия нет правильного ответа < question >У какого транзистора входное сопротивление максимально? у МДП-транзистора у полевого с затвором в виде p-n-перехода у биполярного у всех транзисторов одинаковое нет правильного ответа < question >Каким способом нельзя перевести тиристор из открытого состояния в закрытое? изменением полярности напряжения на основных электродах уменьшением до нуля напряжения на основных электродах изменением полярности напряжения на управляющем электроде все ответы правильные нет правильного ответа < question >Сколько p-n-переходов имеет симметричный тиристор? 4 3 5 6 7 < question >Что такое блокинг генератор? Релаксационный ждущий генератор вырабатывающий импульсы Релаксационный генератор возбуждающий генератор Генератор который управляется источником тока Генератор который управляется источником напряжения Генератор который управляется источником импульсо пилообразной формы < question >В каких схемах целесообразно использовать транзисторы? в схемах усиления сигналов мощности в схемах генерации высокочастотных колебаний в схемах выпрямления переменных токов во всех перечисленных схемах нет правильного ответа < question >Какие приборы целесообразно использовать для преобразования параметров тока в системах энергоснабжения? тиристоры полевые транзисторы биполярные транзисторы интегральные схемы биполярные и полевые транзисторы < question >В каких областях техники находят применение транзисторы и тиристоры? во всех перечисленных в вычислительной технике в автоматике в технике связи аудио визуальной технике < question >Какова зависимость между энергией фотона и длиной волны излучения ? W=Kh W=K/ W=K/ 2 =K/W W=K < question >Как влияет изменение температуры окружающей среды на качество работы фотоэлектрических приборов? отрицательно положительно не влияет влияние незаметно нет правильного ответа < question >Какими свободными носителями зарядов обусловлен ток в обычном резисторе? электронами дырками электронами и дырками основными носителями нет правильного ответа < question >Какими свободными носителями обусловлен ток фоторезистора? дырками электронами дырками и электронами ни одним нет правильного ответа < question >Какое различие существует между фотодиодом и обычным полупроводниковым диодом? конструктивное принципиальное функциональное никакое нет правильного ответа < question >Можно ли использовать неосвещенный фотодиод в качестве выпрямителя? да нет только при большом напряжении только при малом напряжении нет правильного ответа < question >В каком направлении включаются коллекторные и эмиттерные переходы? это зависит от типа транзистора (n-p-n или p-n-p) эмиттерный — в прямом, коллекторный — в обратном оба в прямом направлении эмиттерный — в обратном, коллекторный — в прямом нет правильного ответа < question >Какой тип нагрузки обеспечивает более равномерное усиление в широком диапазоне частот? резистивный индуктивный смешанный резистивно-индуктивный нет правильного ответа < question >Определите коэффициент усиления трехкаскадного усилителя в децибелах, если каждый каскад обеспечивает десятикратное увеличение? 30 60 100 50 40 < question >Какой параметр полезного сигнала искажается за счет нелинейности усилительных элементов.

09.02.2016 44.73 Кб 54 тесты сбрут.doc

09.02.2016 161.57 Кб 58 тесты Философия 14 год 2 (2).docx

09.02.2016 164.35 Кб 43 Тесты Философия.doc

09.02.2016 58.12 Кб 4 тестыАвиационные работы –.docx

09.02.2016 66.97 Кб 4 Товарный знак.docx

09.02.2016 203.06 Кб 24 ТЭСТ ОЭиИТ.docx

09.02.2016 1.33 Mб 15 УМК культурология Кабдылкаримова.doc

09.02.2016 7 Mб 15 УМК РЭТ МАТ 1 2012.doc

09.02.2016 783.87 Кб 65 УМК Ю,МП. 1 курс.doc

09.02.2016 859.14 Кб 4 Ф УТ УМКД Ос.Эк.Т. 2013.doc

09.02.2016 99.93 Кб 20 Физическая география — тест 2курс рус.docx

Ограничение

Для продолжения скачивания необходимо пройти капчу:

Маркировка транзисторов отечественного и зарубежного производства

Маркировка транзисторов отечественного и зарубежного производства

Транзисторы — один из самых широко используемых электронных компонентов, на основе которого строится большинство современных электронных устройств и интегральных схем. Кроме того, это ещё и самое массовое изделие из всех когда-либо производимых человеком. Ежегодно на каждого жителя нашей планеты выпускается порядка 15 миллиардов транзисторов (большая часть из них размещается на кристаллах интегральных схем), и со временем это число будет только расти. Немалая доля приходится и на дискретные транзисторы, купить которые можно как в розничных магазинах радиодеталей, так и у оптовых дистрибьюторов. Чтобы не запутаться в многообразии наименований, инженерами была разработана и введена специальная система маркировки. О том, как ей пользоваться, мы сейчас подробно расскажем.

Отечественная маркировка транзисторов

Маркировка транзисторов

Чтобы лучше понимать маркировку отечественных транзисторов, нам придётся проследить ключевые этапы её видоизменения. До 1964 года все транзисторы принято было обозначать сочетанием из одной или двух букв и следующим за ними числом (МП 43 или П402). Буква «П» обозначала, что данный электронный компонент является транзистором, а число относило его к определённому подклассу. Если перед буквой «П» ставилась буква «М», это обозначало, что транзистор является модифицированным (то есть биполярным).

Значение числовой маркировки транзисторов:

1 – 100: германиевые, работающие на низких частотах (НЧ);
100 – 200: кремниевые, функционирующие в НЧ диапазоне;
200 – 300: германиевые, работающие в НЧ диапазоне;
300 – 400: НЧ транзисторы высокой мощности, изготовленные на основе кремния;
400 – 500: маломощные ВЧ и сверхвысокочастотные транзисторы на основе германия;
500 – 600: маломощные ВЧ и сверхвысокочастотные транзисторы на основе кремния;
600 – 700: маломощные ВЧ и сверхвысокочастотные транзисторы на основе германия;
700 – 800: маломощные ВЧ и сверхвысокочастотные транзисторы на основе кремния.

Маркировка транзисторов

В 1964 году маркировка транзисторов несколько изменилась из-за появления большого количества новых наименований. Первая буква/цифра начала обозначать материал изготовления, вторая — тип транзистора, третья характеризовала электронный компонент по таким параметрам, как рабочая частота и рассеиваемая мощность. Последние два элемента в маркировке транзистора указывали на порядковый номер его разработки. Наиболее важным в данном коде является третий элемент, указывающий на характеристики изделия. Его следует читать следующим образом:

Маркировка транзисторов

1) малая рассеиваемая мощность (до 0,3 W), низкая частота (НЧ) (до 3 MHz);
2) малая рассеиваемая мощность (до 0,3 W), средняя частота (СЧ) (до 30 MHz);
3) малая рассеиваемая мощность (до 0,3 W), высокая частота (ВЧ);
4) средняя мощность (до 1,5 W), НЧ (до 3 MHz);
5) средняя мощность (до 1,5 W), СЧ (до 30 MHz);
6) средняя мощность (до 1,5 W), ВЧ и СВЧ (сверхвысокочастотные);
7) высокая мощность (от 1,5 W), НЧ (до 3 MHz);
8) большая мощность (от 1,5 W), СЧ (до 30 MHz);
9) большая мощность (от 1,5 W), ВЧ и СВЧ.

В 1978 году схема снова изменилась. Значение первых двух символов, указывающих на материал изготовления и подкласс электронного компонента, осталось прежним, а вот следующая за ними цифра начала указывать на функциональные возможности транзистора — его мощность и частоту.

1) Мощность 300 MHz;
7) мощность > 1 W, частота 1 W, частота 1 W, частота > 300 MHz.

Данная маркировка актуальна как для полевых, так и для биполярных транзисторов и используется большинством отечественных производителей электронных компонентов по сей день. Для упрощения многие транзисторы маркируются цветовым кодом из четырёх точек. Верхняя левая точка указывает на материал изготовления и характеристики транзистора, верхняя правая соответствует шестому символу в его маркировке, левая нижняя указывает на месяц выпуска, а правая нижняя — на год.

Цветовая маркировка транзисторов Цветовая маркировка транзисторов

Европейская система маркировки транзисторов

Европейская маркировка транзисторов разнится для узкоспециализированных электронных компонентов и для приборов общего назначения. В первом случае она состоит из трёх букв и двухзначного числа, во втором — из двух букв и трёхзначного числа. И в том, и в другом случае первая буква указывает на материал изготовления транзистора:

A — германий;
В – кремний.

Вторая буква в европейской маркировке транзистора указывает на его характеристики:

С – малая мощность, НЧ;
D – высокая мощность, НЧ;
F – малая мощность, ВЧ;
L – высокая мощность, ВЧ.

Маркировка транзисторов по американской системе JEDEC

Первый символ в маркировке транзистора обозначает количество p-n-переходов. Второй символ указывает типономинал электронного компонента. Следующая последовательность цифр — это серийный номер устройства. Буква, стоящая за серийным номером, характеризует возможные отклонения от характеристик по EIA. В некоторых случаях, когда корпус транзистора чересчур мал и не позволяет нанести весь маркировочный код полностью, используется его сокращённая версия без буквы «N» в начале и без предшествующей ей цифре.

Надеемся, вышеизложенная информация поможет вам разобраться в многообразии маркировок, и вы сможете с легкостью выбрать и купить транзисторы, а также другие электронные компоненты с подходящими характеристиками.

Устройство и маркировка биполярного транзистора.

Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga.ru. Продолжаем знакомиться с полупроводниковыми приборами и с этой статьи начнем разбираться с транзистором. В этой части мы познакомимся с устройством и маркировкой биполярных транзисторов.

Биполярные транзисторы - внешний вид

Полупроводниковые транзисторы бывают двух видов: биполярные и полевые.
В отличие от полевых транзисторов биполярные получили наиболее широкое применение в радиоэлектронике, а чтобы эти транзисторы как-то отличать друг от друга, биполярные принято называть просто — транзисторами.

1. Устройство и обозначение биполярного транзистора.

Схематично биполярный транзистор можно представить в виде пластины полупроводника с чередующимися областями разной электропроводности, которые образуют два p-n перехода. Причем обе крайние области обладают электропроводностью одного типа, а средняя область электропроводностью другого типа, и где каждая из областей имеет свой контактный вывод.

Схематичное изображение биполярного транзистора

Если в крайних областях полупроводника преобладает дырочная электропроводность, а в средней области электронная, то такой полупроводниковый прибор называют транзистором структуры p-n-p.

А если в крайних областях преобладает электронная электропроводность, а в средней дырочная, то такой транзистор имеет структуру n-p-n.

Структуры биполярных транзисторов

А теперь возьмем схематичную часть транзистора и прикроем любую крайнюю область, например, область коллектора, и посмотрим на результат: у нас остались открытыми область базы и эмиттера, то есть получился полупроводник с одним p-n переходом или обычный полупроводниковый диод. О диодах можно почитать здесь.

Получаем из транзистора диод

Если же мы прикроем область эмиттера, то останутся открытыми области базы и коллектора — и также получается диод.

Отсюда возникает вывод, что биполярный транзистор можно представить в виде двух диодов с одной общей областью, включенных навстречу друг другу. При этом общая (средняя) область называется базой, а примыкающие к базе области коллектором и эмиттером. Это и есть три электрода транзистора.

Транзистор в виде двух диодов

Примыкающие к базе области делают неодинаковыми: одну из областей изготавливают так, чтобы из нее наиболее эффективно происходил ввод (инжекция) носителей заряда в базу, а другую область делают таким-образом, чтобы в нее эффективно осуществлялся вывод (экстракция) носителей заряда из базы.

область транзистора, назначением которой является ввод (инжекция) носителей зарядов в базу называется эмиттером, и соответствующий p-n переход эмиттерным.

область транзистора, назначением которой является вывод (экстракция) носителей из базы, называется коллектором, и соответствующий p-n переход коллекторным.

То есть получается, что эмиттер вводит электрические заряды в базу, а коллектор их забирает.

Различие в обозначениях транзисторов разных структур на принципиальных схемах заключается лишь в направлении стрелки эмиттера: в p-n-p транзисторах она обращена в сторону базы, а в n-p-n транзисторах – от базы.

2. Технология изготовления биполярных транзисторов.

Технология изготовления транзисторов ни чем не отличается от технологии изготовления диодов. Еще в начальный период развития транзисторной техники биполярные транзисторы делали только из германия методом вплавления примесей, и такие транзисторы называют сплавными.

 Германиевые биполярные транзисторы

Берется кристалл германия и в него вплавляются кусочки индия.
Атомы индия диффузируют (проникают) в тело кристалла германия, образуя в нем две области p-типа – коллектор и эмиттер. Между этими областями остается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника n-типа, которую именуют базой. А чтобы защитить кристалл от влияния света и механического воздействия его помещают в металлостеклянный, металлокерамический или пластмассовый корпус.

На картинке ниже показано схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора, собранного на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу диска – ее наружный проволочный вывод.

Устройство сплавного германиевого транзистора средней мощности

Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проводникам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Металлический колпак защищает прибор от влияния света и механических повреждений. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные германиевые транзисторы из серии МП37 — МП42.

Германиевые транзисторы средней мощности серии МП37 - МП42

В обозначении буква «М» говорит, что корпус транзистора холодносварной, буква «П» — это первая буква слова «плоскостной», а цифры означают порядковый заводской номер транзистора. Как правило, после заводского номера ставят буквы А, Б, В, Г и т.д., указывающие на разновидность транзистора в данной серии, например, МП42Б.

С появлением новых технологий научились обрабатывать кристаллы кремния, и уже на его основе были созданы кремниевые транзисторы, получившие наиболее широкое применение в радиотехнике и на сегодняшний день практически полностью вытеснившие германиевые приборы.

Кремниевые транзисторы малой и средней мощности

Кремниевые транзисторы могут работать при более высоких температурах (до 125ºС), имеют меньшие обратные токи коллектора и эмиттера, а также более высокие пробивные напряжения.

Основным методом изготовления современных транзисторов является планарная технология, а транзисторы, выполненные по этой технологии, называют планарными. У таких транзисторов p-n переходы эмиттер-база и коллектор-база находятся в одной плоскости. Суть метода заключается в диффузии (вплавлении) в пластину исходного кремния примеси, которая может находиться в газообразной, жидкой или твердой фазе.

Как правило, коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластина исходного кремния, на поверхность которой вплавляют близко друг от друга два шарика примесных элементов. В процессе нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластину кремния.

Устройство диффузионно-сплавного транзистора

При этом один шарик образует в пластине тонкую базовую область, а другой эмиттерную. В результате в пластине исходного кремния образуются два p-n перехода, образующие транзистор структуры p-n-p. По такой технологии изготавливают наиболее распространенные кремниевые транзисторы.

Также для изготовления транзисторных структур широко используются комбинированные методы: сплавление и диффузия или сочетание различных вариантов диффузии (двусторонняя, двойная односторонняя). Возможный пример такого транзистора: базовая область может быть диффузионная, а коллектор и эмиттер – сплавные.

Использование той или иной технологии при создании полупроводниковых приборов диктуется различными соображениями, связанными с техническими и экономическими показателями, а также их надежностью.

3. Маркировка биполярных транзисторов.

На сегодняшний день маркировка транзисторов, согласно которой их различают и выпускают на производствах, состоит из четырех элементов.
Например: ГТ109А, ГТ328, 1Т310В, КТ203Б, КТ817А, 2Т903В.

Первый элемент — буква Г, К, А или цифра 1, 2, 3 – характеризует полупроводниковый материал и температурные условия работы транзистора.

1. Буква Г или цифра 1 присваивается германиевым транзисторам;
2. Буква К или цифра 2 присваивается кремниевым транзисторам;
3. Буква А или цифра 3 присваивается транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия.

Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах: германий – выше 60ºС, а кремний – выше 85ºС.

Второй элемент – буква Т от начального слова «транзистор».

Третий элемент – трехзначное число от 101 до 999 – указывает порядковый заводской номер разработки и назначение транзистора. Эти параметры даны в справочнике по транзисторам.

Четвертый элемент – буква от А до К – указывает разновидность транзисторов данной серии.

Маркировка транзисторов

Однако до сих пор еще можно встретить транзисторы, на которых стоит более ранняя система обозначения, например, П27, П213, П401, П416, МП39 и т.д. Такие транзисторы выпускались еще в 60 — 70-х годах до введения современной маркировки полупроводниковых приборов. Пусть эти транзисторы устарели, но они все еще пользуются популярностью и применяются в радиолюбительских схемах.

В рамках этой части статьи мы рассмотрели лишь общие методы изготовления транзисторных структур, чтобы начинающему радиолюбителю было легче понять внутреннее устройство транзистора.

На этом мы закончим, а в следующей части проведем несколько опытов и на их основе сделаем практические выводы о работе биполярного транзистора.
Удачи!

1. Борисов В.Г — Юный радиолюбитель. 1985г.
2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К — Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы» — 4-е изд. перераб. и доп. 1987г.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *